三星与SK海力士因HBM和通用DRAM需求减弱,转向大容量QLCeSSD市场。此类产品可存储KV缓存、减轻GPU显存负担并降低运营成本,合约价已涨80%,或引发NAND闪存价格大幅上涨。
HBM与通用DRAM重要性减弱,三星SK海力士领跑大容量QLC eSSD市场
作者:技术拾光
时间:2026-07-30
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过去一年多,市场经历了一场疯狂的存储涨价潮。超大规模云服务商疯狂砸钱,大量囤积HBM和通用DRAM用来建数据中心,结果供应一紧、价格就飙,这股涨价压力最终传导到了整个消费电子市场——已经到了让人有些难以忍受的地步。而今,随着AI服务器出货规模持续扩大,数据处理类型也在发生变化,再加上供应链老问题依旧,存储芯片的要求也在悄然转向。

eSSD成为关注焦点
根据Wccftech的报道,业界现在把更多注意力放在了eSSD上。三星和SK海力士希望帮助超大规模云服务商减少服务器占用空间和能耗,同时自己也能赚得盆满钵满。大容量QLC eSSD成了关键棋子——虽然耐用性不如TLC或MLC产品,但容量更大,成本也更低。
大容量QLC eSSD助力AI工作负载
有了大容量QLC eSSD,就能存下海量的临时上下文数据(也就是Key-Value cache,KV缓存),这有助于减轻GPU显存的负担,保持高效的工作流,同时还能降低AI数据中心的日常运营成本。大容量QLC eSSD已经从单纯的存储介质,变成了能卸载并支持高负载AI任务的设备,随之而来的是合约价格已经上涨了80%。
NAND闪存价格或将面临上涨压力
市场开始意识到,超大规模云服务商对存储需求的增长,很可能导致NAND闪存价格大幅上涨,就像之前DRAM经历的那样。事实上,消费级SSD也已经越来越贵,虽然涨幅没DRAM那么夸张,但照这个趋势下去,恐怕也会贵到让普通消费者难以承受。
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