长鑫内存登陆科创板,市值3.3万亿元,融资666亿元。预计2030年产能翻倍,主攻合肥、上海、北京三地。内存价格涨幅因手机厂商抵制收窄,但AI需求仍将推高价格。技术方面受EUV光刻机限制,重点发展HBM3及3DRAM,有望在2027年实现突破。
内存涨不动了,国产龙头产能将翻倍,3D RAM成突破点
作者:技术拾光
时间:2026-07-29
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7月27日,长鑫内存正式登陆科创板。3.3万亿的市值,不仅让其坐上A股市值第一的宝座,还创下科技公司首次登顶的纪录。
融资规模高达666亿元,产能扩张布局三大基地
此次融资上限达666亿元,资金主要用于后续投资和研发。根据高盛中国分析师披露的信息,国内内存行业龙头预计到2030年,产能将比现在翻一番。产能扩张的主战场集中在合肥、上海、北京三地,这些项目预计在2028年前全面投产。此外,还有一个超大型基地,计划在2028年后贡献增量产能。
内存价格走势趋稳,AI需求持续推动上行
从市场反馈来看,内存价格已不像过去那样容易大涨。今年第三、四季度,由于手机厂商抵制涨价,价格涨幅有所收窄。不过,AI相关需求在2027年依然强劲,价格仍将继续上行。与此同时,各大内存厂商签订的长期协议越来越多,这有望在一定程度上稳定价格走势。
技术迭代持续推进,3D RAM成突破关键
再看技术层面,国产内存厂商显然不会停下脚步,它们正持续寻求技术迭代。但必须承认,与SK海力士、三星相比,还存在一定差距。核心瓶颈在于,国产芯片行业受到EUV光刻机的限制,只能依靠DUV光刻机推进技术创新。
即便如此,国产内存厂商也不会原地踏步。HBM3及HBM3e内存被列为今年量产的重点方向,同时还在研发新一代内存技术,其中就包括3D RAM——即3D堆栈内存。有意思的是,在这个方向上,三星、SK海力士等公司反而显得相对保守。
预计到2027年,国产内存有望在3D RAM领域取得突破,从而绕过EUV限制,实现突围。

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