三星HBM混合键合芯片量产推迟至2029年，配合英伟达新GPU

三星混合键合HBM芯片量产推迟至2029年，与英伟达下一代GPU节奏吻合

7月22日，一则消息在半导体圈引发关注：三星的混合键合HBM芯片，可能要等到2029年才能实现量产。而这个时间点，恰好与英伟达下一代Feynman AI GPU的推出节奏吻合——这背后，显然是有意为之的布局。

混合键合技术：HBM的未来方向

先说说混合键合这项技术。它被认为是HBM的未来方向，核心思路很简单：把DRAM层之间的微凸点拿掉，让层与层贴得更紧密，这样数据传输更快、功耗也更低。说白了，就是让芯片内部“零距离”接触，性能自然上一个台阶。

三星采购50台机器，计划2029年大规模量产

为了这个目标，三星正在从荷兰BE Semiconductor采购50台混合键合机器，计划今年底开始安装，2029到2030年大规模量产。与此同时，三星还在搞定制HBM芯片——把逻辑芯片直接集成到HBM里，采用3D系统级封装（SiP）架构，进一步压榨性能空间。

英伟达Feynman AI GPU与三星量产时间点吻合

值得注意的是，英伟达的Feynman AI GPU预计会在Rubin Ultra之后推出，它依赖3D堆叠和定制HBM，正好和三星的混合键合量产时间点对上。这显然不是巧合，而是三星在瞄准下一代市场。

量产推迟或成“后发制人”机会

当然，时间点比预期晚了几年，这确实会影响三星在HBM市场追赶SK海力士的进度。但换个角度看，2029年直接配合英伟达新旗舰GPU，或许是一次“后发制人”的机会。

那么，你觉得三星的混合键合技术，最终能追平甚至反超SK海力士的HBM优势吗？