AI需求推高内存价格，真实缺口仅4%–5%，行业进入结构

内存价格涨势背后的真实缺口

2026年7月19日，内存和闪存价格这波涨势，大家应该都感受到了。主流内存模组价格平均翻了五倍，有些型号甚至接近十倍。表面上看，AI需求爆发是直接推手，产能似乎也到了极限——但事情真有这么简单吗？

业内人士：实际缺口仅4%到5%

来自半导体产业链内部的声音，给出了不一样的判断。所谓“严重缺货”，其实水分不小。据知情人士透露，截至2026年，实际内存供应缺口只有4%到5%左右。而就在一年前，市场还普遍预期2025年会出现8%到9%的短缺，现在看来，这个预判明显过于保守了。关键转折点在于，三星、SK海力士这些头部厂商，已经完成了从1b纳米制程到1c纳米制程的技术升级。这一跳，直接提升了单位晶圆的存储位密度，很大程度上补上了原有的产能缺口。

未来供需平衡时间表

往后看，随着美光和三星在2027年把新一代晶圆厂全面跑起来，全年缺口预计会进一步收窄到3%左右。等到2028年，上半年虽然可能还有2%到3%的短期波动，但下半年开始，整个行业基本就能实现供需平衡，价格也会随之进入平稳回落的通道。

AI需求与产能缺口的再审视

当然，这里得说清楚：内存真实产能缺口到底是多少，目前并没有一个统一的权威口径。AI应用扩张是事实，高带宽内存HBM确实占用了大量先进制程资源。但可以反过来想想——如果缺口真像某些说法那样高达50%，那全球范围内这些AI基础设施投资，早就该撑不下去了。

金融机构数据印证供需趋紧

至于那位业内人士说的4%到5%缺口是否完全准确，目前确实没有独立验证的途径。不过，近期几家国际权威金融机构发布的分析数据，倒是可以作为一个参考坐标：2026年第二季度，确实是本轮周期中供应最紧张的阶段，缺口大约在8%左右；2027年就能基本实现供需均衡，缺口缩到2%以内；而从2028年开始，整个行业甚至可能转向温和的供给过剩状态。

结构性因素主导价格波动

所以，这一轮内存价格的大幅上扬，与其说是AI需求激增导致的被动性产能瓶颈，不如说是一场多重因素交织的结构性现象。技术迭代节奏和资本投入周期的错配是基础，市场预期引导、供应节奏调控，以及行业话语权集中带来的主动调节，也都扮演了重要角色。值得留意的是，主要厂商近期一直在释放信号，把内存紧缺周期延展到2030年之后——这暗示着，下一轮产业周期，或许会持续整整十年。