SK海力士将年底量产375层NAND 钼代钨提升性能

全链网报道，6月11日，韩国科技媒体《THEELEC》发布消息称，SK海力士已完成下一代V10系列375层3D NAND闪存的生产验证，目前正加速推进产线转换。公司计划在2026年通过对现有工厂进行升级，实现大规模量产。此举旨在挑战三星电子在超高堆叠技术领域的领先地位。在此次技术迭代中，最值得关注的亮点在于金属布线层的材料革新——部分字线将从传统的钨更换为钼。这一看似微小的变化，或将成为整个行业向600层以上迈进的关键突破口。

有人可能会问，为何要选择钼？随着3D NAND堆叠层数持续增加，传统材料在电阻和可靠性方面的瓶颈日益凸显。钼的特性恰好能够解决这些问题：在高密度、高电流环境下，钼的电阻率更低，信号延迟更小，同时能够承受更严苛的物理应力。换言之，当堆叠高度突破600层时，钼材料将不再是可选项，而可能成为唯一的选择。

从市场格局来看，SK海力士的这一突破具有重要战略意义。过去几年，三星在3D NAND领域一直占据技术制高点，但行业普遍认为，随着堆叠层数逼近物理极限，竞争的焦点已从“谁能叠得更高”转向“谁能通过新材料实现更优性价比”。SK海力士在375层产品中率先导入钼金属布线，相当于在下一轮竞赛中提前抢占了先机。可以预见，未来两到三年内，钼材料的应用将加速普及，整个NAND闪存的工艺路线图也将因此发生改变。

值得注意的是，SK海力士选择通过现有工厂升级来推进量产，而非新建产线。这一策略相当务实，既降低了资本开支风险，也缩短了技术落地的周期。对三星而言，这无疑构成了一记重击——在超高堆叠时代的序幕刚刚拉开时，竞争对手已经亮出了关键筹码。