铠侠：332层闪存胜400+层 不跟三星玩数字游戏

铠侠发布Gen10闪存：332层，存储密度提升59%

6月2日消息，NAND闪存这几年在堆栈层数上的竞赛愈演愈烈——三星、SK海力士已经冲上400层以上，仿佛层数就是一切。但有意思的是，闪存技术的发明者铠侠这次却选择了一条截然不同的路：不玩数字游戏。

就在前几天，铠侠正式发布了第十代BiCS闪存，官方命名为Gen10。和上一代Gen8相比，存储密度提升了59%，读取速度提升15%，写入速度提升25%，读取功耗降低40%，写入功耗也降了30%。这些数据看上去相当漂亮。而层数方面，Gen10从上一代的218层增加到了332层，进步确实不小。但如果只看层数，跟三星它们主推的400+层一比，营销数字上似乎就有点吃亏了。

332层与400+层对比：成本低10%，可靠性高35%

然而，铠侠并不这么认为。他们明确表示，自己的332层闪存比业界的400+层产品更优，并且还给出了具体的对比数据。从公布的信息来看，332层虽然在层数上少了约23%，但每GB成本反而低了近10%，能效提升了10%以上，可靠性更是提升了超过35%。

当然，这种比较多少有点“田忌赛马”的味道——铠侠只展示了自己的优势维度，却避开了存储密度这个指标。客观来说，在单位面积存储容量方面，400+层的方案应该更强，否则三星它们也不会执意去堆层数。说到底，层数竞赛背后还是有一定物理逻辑的。

CBA技术领先：铠侠称闪存键合技术领先对手四年

铠侠另一个自信的领域是性能——这得益于他们对CBA（CMOS直接键合）技术的掌控。按照他们的规划，到2029年接口速度能做到4.8Gbps，而届时其他厂商预计仍停留在3.6Gbps左右。铠侠据此声称，在闪存键合技术上，他们能领先美国和韩国的同行大约四年时间。

说到这里，不妨思考一个问题：在闪存键合技术上有优势的厂商还有谁？估计不少人会想到国内的YMTC。这其中的叙事空间，其实远比层数数字本身要精彩。