韩国投资证券报告指出,AI算力需求重塑市场逻辑,超大规模企业通过长协锁定产能,减少现货流通。内存容量提升可优化AI效率,支撑高价需求。HBM与DRAM景气亦带动NAND闪存,两者形成共生。评估市场需关注AI带来的结构性变化,而非仅看传统供需。
韩投:内存价格短期难降 AI算力需求成关键
时间:2026-08-13
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近期,韩国投资证券(KIS)发布的一份报告,为期待内存芯片价格迅速回落的市场预期浇了一盆“冷水”。报告明确指出,即便供应紧张局面有所缓和,内存价格在短期内仍难出现显著下降。其核心原因在于,由AI浪潮激发的算力需求,正在深刻改变市场的供需底层逻辑。
究其原因,关键在于AI超大规模企业的“未雨绸缪”。为确保自身AI算力的稳定与持续扩张,这些科技巨头早已通过长期合约锁定了海量的内存产能。此举如同提前包下了未来数年的核心原料产量,直接导致能够在市场上灵活流通的现货大幅减少。因此,报告判断,当前内存的“超级周期”可能被进一步拉长,价格在中短期内维持高位运行将是大概率事件。
这一判断有其经济逻辑支撑。从成本效益角度分析,增加内存容量对AI计算而言是一笔极为划算的“投资”。更大的内存意味着更多的Token(数据处理单元)能被置于更靠近GPU的位置,从而显著降低从远端存储调取数据所产生的高延迟。这种架构层面的效率提升,强力驱动着AI厂商主动扩大采购规模——因为摊薄到每个Token上的处理成本反而降低了,而整体系统性能却实现了跃升。KIS报告也指出,尽管当前DRAM价格同比已上涨约三倍,但由此带来的GPU利用率提升所创造的价值回报,已远远覆盖了成本上升的压力。这正解释了为何在价格高企之下,需求依然保持强劲。

更为有趣的是,由HBM(高带宽内存)和DRAM引领的本轮景气周期,产生了显著的“溢出效应”,意外带动了NAND闪存芯片的整体行情。此前,业界曾设想通过将更多NAND纳入AI系统架构,以分流对DRAM的依赖,从而缓解供应压力。但现实情况恰恰相反,两者形成了某种“共生共荣”的关系。由于NAND的单位容量成本显著低于DRAM,在AI引发的极端高需求环境下,它展现出了更强的价格弹性和替代潜力。因此,NAND并未因DRAM紧缺而被“替代”,其高景气状态反而因此得到了延续与巩固。
市场始终处于动态变化之中。这份报告提示我们,在评估内存市场未来走势时,不能仅聚焦于传统的供需曲线,更需深入理解AI算力需求所带来的结构性变革。当效率提升创造的价值足以覆盖成本上涨时,简单的“需求放缓导致价格下跌”的逻辑便可能暂时失效。这或许正是当前半导体周期所展现出的新特征。
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