可选当前最先进工艺：消息称三星电子正开发 4~2nm 定制 HBM 基础裸片解决方案

xiayx 1 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 今日报道称，三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略，提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。

xiayx注：台积电则计划为定制 HBM 基础裸片导入 N3P 制程。

搭配 HBM 内存的高阶 AI XPU 芯片正面临单体芯片理论最大面积（858mm2 的光罩尺寸）限制算力进一步提升的情况，化解这一问题的方式除了多芯片的物理 / 通信互联外还包括将部分电路卸载到邻近的 HBM 基础裸片上。

由于 HBM 内存进入 HBM4 后，HBM Base Die 也采用逻辑半导体制程，因此可承载原应由 XPU 主体负担的电路功能。而 HBM Base Die 工艺越先进，其就越能容纳逻辑电路、能效越出色。

内部人士表示，三星电子的定制 HBM 基础裸片解决方案由系统 LSI 业务新设立的定制 SoC 团队负责。