澜起科技第三代MRCD/MDB芯片再提速，年内完成研发

日前，澜起科技一则公告引发行业关注。作为MDB芯片国际标准的牵头制定者，该公司在相关技术领域持续保持领先优势，此次公布的最新进展再次印证了这一地位。

第二子代产品出货量攀升，性能与稳定性获认可

早在2025年1月，澜起科技便推出了第二子代MRCD/MDB芯片。近两个季度以来，该产品出货量显著攀升。凭借过硬的性能与出色的稳定性，产品赢得全球主要内存模组厂商的认可，为后续大规模放量奠定了坚实基础。

第三子代研发规划明确，技术领先地位进一步巩固

按照规划，澜起科技将在今年内完成第三子代MRCD/MDB芯片的工程研发，旨在进一步巩固技术领先地位。目前，全球范围内能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（支持速率8800MT/s）的供应商仅有两家，澜起科技是其中之一。此外，该公司深度参与MDB芯片的JEDEC国际标准制定，可谓实打实的“游戏规则制定者”。

技术迭代显著：第三子代速率提升25%

从技术迭代来看，第三子代MRCD/MDB芯片支持的速率预计将达到16000MT/s，相比第二子代的12800MT/s，直接提升25%，属于代际跨越式升级。

多产品线布局：PCIe Switch、以太网及光互连成新增长点

澜起科技的布局不止于内存接口芯片。公告显示，该公司还在PCIe Switch、以太网及光互连相关产品上积极布局。随着这些新产品逐步进入规模商用阶段，叠加产品组合不断丰富，新业务将成为推动未来成长的重要引擎——技术积累越厚实，可打的牌就越多。